6inch 150mm Silicon Carbide SiC Kaki aina ya 4H-N kwa MOS au Utafiti wa Uzalishaji wa SBD na daraja la Dummy

Kaki za 6inch 150mm Silicon Carbide SiC aina 4H-N za Utafiti wa Uzalishaji wa MOS au SBD na daraja la Dummy Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Sehemu ndogo ya fuwele ya silicon carbide ya inchi 6 ni nyenzo ya utendaji wa juu na sifa bora za kimwili na kemikali.Imetengenezwa kutoka kwa nyenzo moja ya fuwele ya carbudi ya silikoni, inaonyesha upitishaji wa hali ya juu wa mafuta, uthabiti wa mitambo na ukinzani wa halijoto ya juu.Sehemu ndogo hii, iliyofanywa kwa taratibu za utengenezaji wa usahihi na vifaa vya ubora wa juu, imekuwa nyenzo inayopendekezwa kwa ajili ya utengenezaji wa vifaa vya elektroniki vya ufanisi wa juu katika nyanja mbalimbali.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Sehemu za Maombi

Sehemu ndogo ya kioo ya silicon carbide ya inchi 6 ina jukumu muhimu katika tasnia nyingi.Kwanza, hutumiwa sana katika tasnia ya semiconductor kwa utengenezaji wa vifaa vya elektroniki vya nguvu ya juu kama vile transistors za nguvu, saketi zilizojumuishwa, na moduli za nguvu.Conductivity yake ya juu ya joto na upinzani wa juu-joto huwezesha uharibifu bora wa joto, na kusababisha kuboresha ufanisi na kuegemea.Pili, kaki za kaboni za silicon ni muhimu katika nyanja za utafiti kwa utengenezaji wa vifaa na vifaa vipya.Zaidi ya hayo, kaki ya kaboni ya silicon hupata matumizi makubwa katika uwanja wa optoelectronics, ikiwa ni pamoja na utengenezaji wa LED na diodi za leza.

Vipimo vya Bidhaa

Sehemu ndogo ya fuwele ya silicon ya inchi 6 ina kipenyo cha inchi 6 (takriban 152.4 mm).Ukali wa uso ni Ra <0.5 nm, na unene ni 600 ± 25 μm.Sehemu ndogo inaweza kubinafsishwa kwa upitishaji wa aina ya N au P, kulingana na mahitaji ya mteja.Zaidi ya hayo, inaonyesha utulivu wa kipekee wa mitambo, yenye uwezo wa kuhimili shinikizo na vibration.

Kipenyo		150±2.0mm (inchi 6)
Unene		350 μm±25μm
Mwelekeo		Kwenye mhimili : <0001>±0.5°		Nje ya mhimili:4.0° kuelekea 1120±0.5°
Aina nyingi		4H
Ustahimilivu(Ω·cm)	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Mwelekeo wa msingi wa gorofa		{10-10}±5.0°
Urefu wa msingi wa gorofa (mm)		47.5 mm±2.5 mm
Ukingo		Chamfer
TTV/Upinde / Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM Front (Si-face)		Kipolandi Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Maganda ya chungwa/mashimo/nyufa/uchafuzi/madoa/mipasuko		Hakuna	Hakuna		Hakuna
indents		Hakuna	Hakuna		Hakuna

Sehemu ndogo ya kioo ya silicon carbide ya inchi 6 ni nyenzo ya utendaji wa juu inayotumika sana katika tasnia ya semiconductor, utafiti, andoptoelectronics.Inatoa upitishaji bora wa mafuta, uthabiti wa mitambo, na upinzani wa halijoto ya juu, na kuifanya inafaa kwa utengenezaji wa vifaa vya elektroniki vya nguvu ya juu na utafiti mpya wa nyenzo.Tunatoa vipimo mbalimbali na chaguzi za ubinafsishaji ili kukidhi mahitaji mbalimbali ya wateja.Wasiliana nasi kwa maelezo zaidi juu ya kaki za silicon carbide!