8inch 200mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N aina ya daraja la uzalishaji 500um unene

Kaki 8inch 200mm Silicon Carbide SiC aina 4H-N Aina ya daraja la uzalishaji 500um unene Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Shanghai Xinkehui Tech.Co., Ltd hutoa chaguo bora zaidi na bei za kaki za kaboni za silicon za ubora wa juu na hubadilisha hadi kipenyo cha inchi 8 kwa N- na aina za kuhami nusu.Kampuni ndogo na kubwa za vifaa vya semiconductor na maabara za utafiti duniani kote hutumia na kutegemea kaki zetu za silicone carbudi.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Uainishaji wa Substrate ya 200mm inchi 8

Ukubwa: 8inch;

Kipenyo: 200mm±0.2;

Unene: 500um±25;

Mwelekeo wa Uso: 4 kuelekea [11-20] ± 0.5 °;

Mwelekeo wa notch:[1-100]±1°;

Notch kina: 1 ± 0.25mm;

Micropipe: <1cm2;

Sahani za Hex: Hakuna Zinazoruhusiwa;

Upinzani: 0.015~0.028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED: <6000cm2

BPD: <2000cm2

TSD:<1000cm2

SF: eneo<1%

TTV≤15um;

Warp≤40um;

Bow≤25um;

Maeneo ya aina nyingi: ≤5%;

Mkwaruzo: <5 na Urefu Nyongeza< Kipenyo cha Kaki 1;

Chips/Indenti: Hakuna kibali D>Upana na Kina 0.5mm;

Nyufa: Hakuna;

Stain: Hapana

Makali ya kaki: Chamfer;

Kumaliza uso: Kipolandi cha Upande Mbili, Si Face CMP;

Ufungashaji: Kaseti ya kaki nyingi au Kontena Moja ya Kaki;

Ugumu wa sasa katika utayarishaji wa fuwele kuu za 200mm 4H-SiC

1) Utayarishaji wa fuwele za mbegu za ubora wa 200mm 4H-SiC;

2) Saizi kubwa ya uwanja wa joto usio na usawa na udhibiti wa mchakato wa nucleation;

3) Ufanisi wa usafiri na mageuzi ya vipengele vya gesi katika mifumo ya ukuaji wa kioo;

4) Kupasuka kwa kioo na kuenea kwa kasoro kunasababishwa na ongezeko kubwa la mkazo wa joto.

Ili kuondokana na changamoto hizi na kupata suluhu za ubora wa juu za 200mm SiC zinapendekezwa:

Kwa upande wa utayarishaji wa fuwele za milimita 200, uwanja unaofaa wa mtiririko wa halijoto, na mkusanyiko wa upanuzi ulichunguzwa na kubuniwa kuzingatia ubora wa fuwele na saizi inayopanuka;Kuanzia na kioo cha 150mm SiC se:d, fanya urudiaji kioo cha mbegu ili kupanua kristasize ya SiC hadi ifikie 200mm;Kupitia ukuaji wa fuwele nyingi na usindikajiiig, hatua kwa hatua ongeza ubora wa fuwele katika eneo linalopanuka la fuwele, na kuboresha ubora wa fuwele za mbegu za 200mm.

Kwa upande wa utayarishaji wa fuwele ya milimita 200 na utayarishaji wa substrate, utafiti umeboresha hali ya joto na muundo wa uwanja wa mtiririko kwa ukuaji mkubwa wa fuwele, kukuza ukuaji wa kioo wa SiC wa 200mm, na kudhibiti usawa wa doping.Baada ya usindikaji mbaya na uundaji wa kioo, ingot ya 8-inchelectricly conductive 4H-SiC yenye kipenyo cha kawaida ilipatikana.Baada ya kukata, kusaga, polishing, usindikaji kupata SiC 200mm kaki na unene wa 525um au zaidi.