Kaki ya Sapphire ya inchi 12 C-Ndege SSP/DSP
Mchoro wa Kina
Utangulizi wa Yakuti
Wafer ya yakuti ni nyenzo ya msingi ya fuwele moja iliyotengenezwa kwa oksidi ya alumini ya sintetiki yenye usafi wa hali ya juu (Al₂O₃). Fuwele kubwa za yakuti hupandwa kwa kutumia mbinu za hali ya juu kama vile Kyropoulos (KY) au Njia ya Kubadilishana Joto (HEM), na kisha kusindika kupitia kukata, kuelekeza, kusaga, na kung'arisha kwa usahihi. Kutokana na sifa zake za kipekee za kimwili, macho, na kemikali, wafer ya yakuti ina jukumu lisiloweza kubadilishwa katika nyanja za halvledare, optoelectronics, na vifaa vya elektroniki vya watumiaji vya hali ya juu.
Mbinu za Usanisi wa Yakuti Kuu
| Mbinu | Kanuni | Faida | Maombi Kuu |
|---|---|---|---|
| Mbinu ya Verneuil(Muunganiko wa Moto) | Poda ya Al₂O₃ yenye usafi wa hali ya juu huyeyushwa kwenye mwali wa oksijeni, matone huganda safu kwa safu kwenye mbegu | Gharama ya chini, ufanisi mkubwa, mchakato rahisi kiasi | Safi za ubora wa vito, vifaa vya macho vya mapema |
| Mbinu ya Czochralski (CZ) | Al₂O₃ huyeyushwa kwenye chombo cha kuchomea, na fuwele ya mbegu huvutwa polepole juu ili kukuza fuwele hiyo | Huzalisha fuwele kubwa kiasi na uadilifu mzuri | Fuwele za leza, madirisha ya macho |
| Mbinu ya Kyropoulos (KY) | Upoevu wa polepole unaodhibitiwa huruhusu fuwele kukua polepole ndani ya chombo cha kuchomea | Inaweza kukuza fuwele kubwa na zenye mkazo mdogo (makumi ya kilo au zaidi) | Vipimo vya LED, skrini za simu mahiri, vipengele vya macho |
| Mbinu ya HEM(Kubadilishana Joto) | Upoevu huanza kutoka juu ya kitunguu, fuwele hukua chini kutoka kwenye mbegu | Hutoa fuwele kubwa sana (hadi mamia ya kilo) zenye ubora sawa | Madirisha makubwa ya macho, anga za juu, macho ya kijeshi |
Mwelekeo wa Fuwele
| Mwelekeo / Ndege | Orodha ya Miller | Sifa | Maombi Kuu |
|---|---|---|---|
| Ndege ya C | (0001) | Imewekwa sawa kwa mhimili wa c, uso wa polar, atomi zilizopangwa sawasawa | LED, diode za leza, substrates za GaN epitaxial (zinazotumika sana) |
| Ndege | (11-20) | Sambamba na mhimili wa c, uso usio wa polar, huepuka athari za polarization | Vifaa vya GaN epitaksi visivyo vya polar, optoelectronic |
| Ndege ya M | (10-10) | Sambamba na mhimili wa c, usio na ncha, na ulinganifu wa juu | Vifaa vya GaN epitaksi vyenye utendaji wa hali ya juu, vifaa vya optoelectronic |
| Ndege ya R | (1-102) | Imeegemea kwenye mhimili wa c, sifa bora za macho | Madirisha ya macho, vigunduzi vya infrared, vipengele vya leza |
Vipimo vya Kaki ya Yakuti (Inayoweza Kubinafsishwa)
| Bidhaa | Kafe za Sapphire zenye urefu wa inchi 1 (0001) 430μm | |
| Vifaa vya Fuwele | 99,999%, Usafi wa Juu, Al2O3 ya Monokrustalo | |
| Daraja | Prime, Tayari kwa Epi | |
| Mwelekeo wa Uso | Ndege ya C (0001) | |
| Ndege ya C-nje ya pembe kuelekea mhimili wa M 0.2 +/- 0.1° | ||
| Kipenyo | 25.4 mm +/- 0.1 mm | |
| Unene | 430 μm +/- 25 μm | |
| Imeng'arishwa Upande Mmoja | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (SSP) | Sehemu ya Nyuma | Kusaga laini, Ra = 0.8 μm hadi 1.2 μm |
| Imeng'arishwa Upande Mbili | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (DSP) | Sehemu ya Nyuma | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| TTV | < 5 μm | |
| UPENDO | < 5 μm | |
| WARP | < 5 μm | |
| Kusafisha / Kufungasha | Kusafisha vyumba vya usafi na vifungashio vya utupu vya Darasa la 100, | |
| Vipande 25 katika kifungashio kimoja cha kaseti au kifungashio kimoja. | ||
| Bidhaa | Kaki za Sapphire zenye urefu wa inchi 2 (0001) 430μm | |
| Vifaa vya Fuwele | 99,999%, Usafi wa Juu, Al2O3 ya Monokrustalo | |
| Daraja | Prime, Tayari kwa Epi | |
| Mwelekeo wa Uso | Ndege ya C (0001) | |
| Ndege ya C-nje ya pembe kuelekea mhimili wa M 0.2 +/- 0.1° | ||
| Kipenyo | 50.8 mm +/- 0.1 mm | |
| Unene | 430 μm +/- 25 μm | |
| Mwelekeo wa Msingi Bapa | Ndege ya A (11-20) +/- 0.2° | |
| Urefu wa Msingi Bapa | 16.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Imeng'arishwa Upande Mmoja | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (SSP) | Sehemu ya Nyuma | Kusaga laini, Ra = 0.8 μm hadi 1.2 μm |
| Imeng'arishwa Upande Mbili | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (DSP) | Sehemu ya Nyuma | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| TTV | < 10 μm | |
| UPENDO | < 10 μm | |
| WARP | < 10 μm | |
| Kusafisha / Kufungasha | Kusafisha vyumba vya usafi na vifungashio vya utupu vya Darasa la 100, | |
| Vipande 25 katika kifungashio kimoja cha kaseti au kifungashio kimoja. | ||
| Bidhaa | Kaki za Sapphire zenye urefu wa inchi 3 (0001) 500μm | |
| Vifaa vya Fuwele | 99,999%, Usafi wa Juu, Al2O3 ya Monokrustalo | |
| Daraja | Prime, Tayari kwa Epi | |
| Mwelekeo wa Uso | Ndege ya C (0001) | |
| Ndege ya C-nje ya pembe kuelekea mhimili wa M 0.2 +/- 0.1° | ||
| Kipenyo | 76.2 mm +/- 0.1 mm | |
| Unene | 500 μm +/- 25 μm | |
| Mwelekeo wa Msingi Bapa | Ndege ya A (11-20) +/- 0.2° | |
| Urefu wa Msingi Bapa | 22.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Imeng'arishwa Upande Mmoja | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (SSP) | Sehemu ya Nyuma | Kusaga laini, Ra = 0.8 μm hadi 1.2 μm |
| Imeng'arishwa Upande Mbili | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (DSP) | Sehemu ya Nyuma | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| TTV | < 15 μm | |
| UPENDO | < 15 μm | |
| WARP | < 15 μm | |
| Kusafisha / Kufungasha | Kusafisha vyumba vya usafi na vifungashio vya utupu vya Darasa la 100, | |
| Vipande 25 katika kifungashio kimoja cha kaseti au kifungashio kimoja. | ||
| Bidhaa | Kaki za Sapphire zenye urefu wa inchi 4 (0001) 650μm | |
| Vifaa vya Fuwele | 99,999%, Usafi wa Juu, Al2O3 ya Monokrustalo | |
| Daraja | Prime, Tayari kwa Epi | |
| Mwelekeo wa Uso | Ndege ya C (0001) | |
| Ndege ya C-nje ya pembe kuelekea mhimili wa M 0.2 +/- 0.1° | ||
| Kipenyo | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
| Unene | 650 μm +/- 25 μm | |
| Mwelekeo wa Msingi Bapa | Ndege ya A (11-20) +/- 0.2° | |
| Urefu wa Msingi Bapa | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Imeng'arishwa Upande Mmoja | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (SSP) | Sehemu ya Nyuma | Kusaga laini, Ra = 0.8 μm hadi 1.2 μm |
| Imeng'arishwa Upande Mbili | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (DSP) | Sehemu ya Nyuma | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| UPENDO | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Kusafisha / Kufungasha | Kusafisha vyumba vya usafi na vifungashio vya utupu vya Darasa la 100, | |
| Vipande 25 katika kifungashio kimoja cha kaseti au kifungashio kimoja. | ||
| Bidhaa | Kaki za Sapphire zenye urefu wa inchi 6 (0001) 1300μm | |
| Vifaa vya Fuwele | 99,999%, Usafi wa Juu, Al2O3 ya Monokrustalo | |
| Daraja | Prime, Tayari kwa Epi | |
| Mwelekeo wa Uso | Ndege ya C (0001) | |
| Ndege ya C-nje ya pembe kuelekea mhimili wa M 0.2 +/- 0.1° | ||
| Kipenyo | 150.0 mm +/- 0.2 mm | |
| Unene | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Mwelekeo wa Msingi Bapa | Ndege ya A (11-20) +/- 0.2° | |
| Urefu wa Msingi Bapa | 47.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Imeng'arishwa Upande Mmoja | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (SSP) | Sehemu ya Nyuma | Kusaga laini, Ra = 0.8 μm hadi 1.2 μm |
| Imeng'arishwa Upande Mbili | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (DSP) | Sehemu ya Nyuma | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| TTV | < 25 μm | |
| UPENDO | < 25 μm | |
| WARP | < 25 μm | |
| Kusafisha / Kufungasha | Kusafisha vyumba vya usafi na vifungashio vya utupu vya Darasa la 100, | |
| Vipande 25 katika kifungashio kimoja cha kaseti au kifungashio kimoja. | ||
| Bidhaa | Kaki za Sapphire zenye urefu wa inchi 8 (0001) 1300μm | |
| Vifaa vya Fuwele | 99,999%, Usafi wa Juu, Al2O3 ya Monokrustalo | |
| Daraja | Prime, Tayari kwa Epi | |
| Mwelekeo wa Uso | Ndege ya C (0001) | |
| Ndege ya C-nje ya pembe kuelekea mhimili wa M 0.2 +/- 0.1° | ||
| Kipenyo | 200.0 mm +/- 0.2 mm | |
| Unene | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Imeng'arishwa Upande Mmoja | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (SSP) | Sehemu ya Nyuma | Kusaga laini, Ra = 0.8 μm hadi 1.2 μm |
| Imeng'arishwa Upande Mbili | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (DSP) | Sehemu ya Nyuma | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| TTV | < 30 μm | |
| UPENDO | < 30 μm | |
| WARP | < 30 μm | |
| Kusafisha / Kufungasha | Kusafisha vyumba vya usafi na vifungashio vya utupu vya Darasa la 100, | |
| Kifungashio cha kipande kimoja. | ||
| Bidhaa | Kaki za Sapphire zenye urefu wa inchi 12 (0001) 1300μm | |
| Vifaa vya Fuwele | 99,999%, Usafi wa Juu, Al2O3 ya Monokrustalo | |
| Daraja | Prime, Tayari kwa Epi | |
| Mwelekeo wa Uso | Ndege ya C (0001) | |
| Ndege ya C-nje ya pembe kuelekea mhimili wa M 0.2 +/- 0.1° | ||
| Kipenyo | 300.0 mm +/- 0.2 mm | |
| Unene | 3000 μm +/- 25 μm | |
| Imeng'arishwa Upande Mmoja | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (SSP) | Sehemu ya Nyuma | Kusaga laini, Ra = 0.8 μm hadi 1.2 μm |
| Imeng'arishwa Upande Mbili | Uso wa Mbele | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| (DSP) | Sehemu ya Nyuma | Imeng'arishwa kwa rangi ya Epi, Ra < 0.2 nm (kwa AFM) |
| TTV | < 30 μm | |
| UPENDO | < 30 μm | |
| WARP | < 30 μm | |
Mchakato wa Uzalishaji wa Wafer ya Yakuti
-
Ukuaji wa Fuwele
-
Panda boule za yakuti (kilo 100–400) kwa kutumia mbinu ya Kyropoulos (KY) katika tanuru maalum za ukuaji wa fuwele.
-
-
Uchimbaji na Uundaji wa Ingot
-
Tumia pipa la kuchimba ili kusindika mpira kuwa vipande vya silinda vyenye kipenyo cha inchi 2-6 na urefu wa milimita 50-200.
-
-
Kufunga kwa Kwanza
-
Kagua ingots kwa kasoro na ufanye upasuaji wa kwanza wa joto la juu ili kupunguza msongo wa ndani.
-
-
Mwelekeo wa Fuwele
-
Tambua mwelekeo sahihi wa ingot ya yakuti (km, C-plane, A-plane, R-plane) kwa kutumia vifaa vya mwelekeo.
-
-
Kukata Msumeno wa Waya Nyingi
-
Kata ingot katika vipande nyembamba vya wafer kulingana na unene unaohitajika kwa kutumia vifaa vya kukata vya waya nyingi.
-
-
Ukaguzi wa Awali na Ufungashaji wa Pili
-
Kagua kaki zilizokatwa (unene, ulaini, kasoro za uso).
-
Fanya ufyonzaji tena ikiwa ni lazima ili kuboresha ubora wa fuwele zaidi.
-
-
Kuchanja, Kusaga na Kung'arisha kwa CMP
-
Fanya upigaji chamfering, kusaga uso, na kung'arisha mitambo kwa kemikali (CMP) kwa kutumia vifaa maalum ili kufikia nyuso zenye ubora wa kioo.
-
-
Kusafisha
-
Safisha kaki vizuri kwa kutumia maji safi sana na kemikali katika mazingira safi ya chumba ili kuondoa chembe na uchafu.
-
-
Ukaguzi wa Macho na Kimwili
-
Kugundua upitishaji na kurekodi data ya macho.
-
Pima vigezo vya wafer ikiwa ni pamoja na TTV (Total Unene Tofauti), Upinde, Mkunjo, usahihi wa mwelekeo, na ukali wa uso.
-
-
Mipako (Si lazima)
-
Paka mipako (km, mipako ya AR, tabaka za kinga) kulingana na vipimo vya mteja.
-
Ukaguzi wa Mwisho na Ufungashaji
-
Fanya ukaguzi wa ubora wa 100% katika chumba safi.
-
Pakia wafers kwenye masanduku ya kaseti chini ya hali safi ya Daraja la 100 na uzifunge kwa utupu kabla ya kusafirishwa.
Matumizi ya Wafers za Yakuti
Vigae vya yakuti, vyenye ugumu wake wa kipekee, upitishaji bora wa macho, utendaji bora wa joto, na insulation ya umeme, hutumika sana katika tasnia nyingi. Matumizi yao hayahusishi tu tasnia za LED za kitamaduni na optoelectronic lakini pia yanapanuka hadi halvledare, vifaa vya elektroniki vya watumiaji, na nyanja za hali ya juu za anga na ulinzi.
1. Semiconductors na Optoelectronics
Vipande vya LED
Wafer za yakuti ndio msingi wa ukuaji wa epitaxial wa gallium nitride (GaN), zinazotumika sana katika LED za bluu, LED nyeupe, na teknolojia za Mini/Micro LED.
Diode za Leza (LD)
Kama viambato vya diode za leza zenye msingi wa GaN, wafer za yakuti huunga mkono ukuzaji wa vifaa vya leza vyenye nguvu nyingi na maisha marefu.
Vigunduzi vya picha
Katika vigunduzi vya mwanga wa jua na infrared, wafer za yakuti mara nyingi hutumiwa kama madirisha yanayong'aa na vifaa vya kuhami joto.
2. Vifaa vya Semiconductor
RFIC (Saketi Jumuishi za Masafa ya Redio)
Shukrani kwa insulation yao bora ya umeme, wafers za yakuti ni vifaa bora vya kuwekea joto kwa vifaa vya microwave vyenye masafa ya juu na nguvu ya juu.
Teknolojia ya Silicon-on-Sapphire (SoS)
Kwa kutumia teknolojia ya SoS, uwezo wa vimelea unaweza kupunguzwa sana, na hivyo kuongeza utendaji wa saketi. Hii hutumika sana katika mawasiliano ya RF na vifaa vya elektroniki vya anga za juu.
3. Matumizi ya Optical
Madirisha ya Mwanga ya Infrared
Kwa uwezo wa juu wa kupitisha mwangaza katika masafa ya urefu wa nm 200–5000, yakuti hutumika sana katika vigunduzi vya infrared na mifumo ya mwongozo wa infrared.
Madirisha ya Leza Yenye Nguvu ya Juu
Ugumu na upinzani wa joto wa yakuti huifanya kuwa nyenzo bora kwa madirisha na lenzi za kinga katika mifumo ya leza yenye nguvu nyingi.
4. Vifaa vya Elektroniki vya Watumiaji
Vifuniko vya Lenzi za Kamera
Ugumu mkubwa wa yakuti huhakikisha upinzani wa mikwaruzo kwa simu mahiri na lenzi za kamera.
Vihisi vya Alama za Vidole
Vifuniko vya yakuti vinaweza kutumika kama vifuniko vya kudumu na vyenye uwazi vinavyoboresha usahihi na uaminifu katika utambuzi wa alama za vidole.
Saa Mahiri na Onyesho la Premium
Skrini za yakuti huchanganya upinzani wa mikwaruzo na uwazi wa hali ya juu wa macho, na kuzifanya kuwa maarufu katika bidhaa za kielektroniki za hali ya juu.
5. Anga na Ulinzi
Majumba ya Infrared ya Kombora
Madirisha ya yakuti hubaki wazi na thabiti chini ya halijoto ya juu na kasi ya juu.
Mifumo ya Macho ya Anga
Hutumika katika madirisha ya macho yenye nguvu nyingi na vifaa vya uchunguzi vilivyoundwa kwa ajili ya mazingira magumu.
Bidhaa Nyingine za Kawaida za Yakuti
Bidhaa za Macho
-
Madirisha ya Optical ya Sapphire
-
Hutumika katika leza, spektromita, mifumo ya upigaji picha wa infrared, na madirisha ya vitambuzi.
-
Kipindi cha maambukizi:UV 150 nm hadi IR ya kati 5.5 μm.
-
-
Lenzi za Yakuti
-
Inatumika katika mifumo ya leza yenye nguvu nyingi na optiki za anga.
-
Inaweza kutengenezwa kama lenzi zenye mbonyeo, mbonyeo, au silinda.
-
-
Prismu za Yakuti
-
Hutumika katika vifaa vya kupimia macho na mifumo ya upigaji picha wa usahihi.
-
Ufungashaji wa Bidhaa
Kuhusu XINKEHUI
Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. ni mojawapo yamuuzaji mkubwa zaidi wa macho na nusu-kondakta nchini China, iliyoanzishwa mwaka wa 2002. XKH ilitengenezwa ili kuwapa watafiti wa kitaaluma wafers na vifaa na huduma zingine za kisayansi zinazohusiana na nusukondi. Vifaa vya nusukondi ni biashara yetu kuu, timu yetu inategemea ufundi, tangu kuanzishwa kwake, XKH inahusika sana katika utafiti na maendeleo ya vifaa vya kielektroniki vya hali ya juu, haswa katika uwanja wa wafer/substrate mbalimbali.
Washirika
Kwa teknolojia yake bora ya vifaa vya semiconductor, Shanghai Zhimingxin imekuwa mshirika anayeaminika wa makampuni makubwa duniani na taasisi zinazojulikana za kitaaluma. Kwa kuendelea kwake katika uvumbuzi na ubora, Zhimingxin imeanzisha uhusiano wa kina wa ushirikiano na viongozi wa tasnia kama vile Schott Glass, Corning, na Seoul Semiconductor. Ushirikiano huu haujaboresha tu kiwango cha kiufundi cha bidhaa zetu, lakini pia umekuza maendeleo ya kiteknolojia katika nyanja za vifaa vya elektroniki vya umeme, vifaa vya optoelectronic, na vifaa vya semiconductor.
Mbali na ushirikiano na makampuni maarufu, Zhimingxin pia imeanzisha uhusiano wa muda mrefu wa ushirikiano wa utafiti na vyuo vikuu vikuu vikuu duniani kote kama vile Chuo Kikuu cha Harvard, Chuo Kikuu cha London (UCL), na Chuo Kikuu cha Houston. Kupitia ushirikiano huu, Zhimingxin haitoi tu msaada wa kiufundi kwa miradi ya utafiti wa kisayansi katika taaluma, lakini pia inashiriki katika maendeleo ya nyenzo mpya na uvumbuzi wa kiteknolojia, kuhakikisha kwamba sisi huwa mstari wa mbele katika tasnia ya semiconductor kila wakati.
Kupitia ushirikiano wa karibu na makampuni haya maarufu duniani na taasisi za kitaaluma, Shanghai Zhimingxin inaendelea kukuza uvumbuzi na maendeleo ya kiteknolojia, ikitoa bidhaa na suluhisho za kiwango cha kimataifa ili kukidhi mahitaji yanayoongezeka ya soko la kimataifa.




