Inchi 12 Dia300x1.0mmt Sapphire Wafer Substrate C-Plane SSP/DSP

Maelezo Fupi:

Pamoja na maendeleo ya sayansi na teknolojia, mahitaji mapya ya ukubwa na ubora wa vifaa vya fuwele ya yakuti yamewekwa mbele.Sasa, pamoja na maendeleo ya haraka ya taa za semiconductor na matumizi mengine yanayojitokeza, soko la gharama nafuu, ubora wa juu, fuwele kubwa za yakuti sapphire linapanuka kwa kiasi kikubwa.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

12inch Sapphire Substrate Soko Hali

Kwa sasa, yakuti ina matumizi mawili kuu, moja ni substrate nyenzo, ambayo ni hasa LED substrate nyenzo, nyingine ni piga kuangalia, anga, luftfart, maalum viwanda dirisha nyenzo.

Ingawa silicon carbide, silikoni na gallium nitride zinapatikana pia kama substrates za led pamoja na yakuti, uzalishaji wa wingi bado hauwezekani kwa sababu ya gharama na baadhi ya vikwazo vya kiufundi ambavyo havijatatuliwa.Sapphire substrate kupitia maendeleo ya kiufundi katika miaka ya hivi karibuni, vinavyolingana kimiani yake, conductivity umeme, mali mitambo, conductivity mafuta na mali nyingine wamekuwa kuboreshwa sana na kukuzwa, gharama nafuu faida ni muhimu, hivyo yakuti imekuwa zaidi kukomaa na imara substrate nyenzo. katika sekta ya LED, imekuwa sana kutumika katika soko, sehemu ya soko kama juu kama 90%.

Sifa Ya Kidogo Kidogo cha Sapphire cha Inchi 12

1. Nyuso za Sapphire substrate zina idadi ya chini sana ya chembe, na chini ya chembe 50 microni 0.3 au zaidi kwa inchi 2 katika safu ya ukubwa wa inchi 2 hadi 8, na metali kuu (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) chini ya 2E10/cm2.Nyenzo ya msingi ya inchi 12 pia inatarajiwa kufikia daraja hili.
2. Inaweza kutumika kama kaki ya mtoa huduma kwa mchakato wa utengenezaji wa semicondukta ya inchi 12 (paleti za usafiri wa ndani ya kifaa) na kama sehemu ndogo ya kuunganisha.
3. Inaweza kudhibiti sura ya uso wa concave na mbonyeo.
Nyenzo: Usafi wa hali ya juu wa kioo cha Al2O3, kaki ya yakuti.
Ubora wa LED, hakuna mapovu, nyufa, mapacha, ukoo, hakuna rangi..nk.

Kaki za Sapphire za inchi 12

Mwelekeo	C-ndege<0001> +/- 1 deg.
Kipenyo	300.0 +/-0.25 mm
Unene	1.0 +/-25um
Notch	Notch au Flat
TTV	<50um
KINAMIA	<50um
Kingo	Chamfer ya kuvutia
Upande wa mbele - iliyosafishwa 80/50
Alama ya laser	Hakuna
Ufungaji	Sanduku moja la kubebea kaki
Epi ya upande wa mbele ikiwa tayari imeng'olewa (Ra <0,3nm)
Upande wa nyuma wa Epi tayari umesafishwa (Ra <0,3nm)