Kipenyo cha wafer cha HPSI SiC: unene wa inchi 3:350um± 25 µm kwa ajili ya Elektroniki za Nguvu

Kipenyo cha wafer cha HPSI SiC: unene wa inchi 3:350um± 25 µm kwa Elektroniki za Nguvu Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Mafupi:

Wafer ya HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC yenye kipenyo cha inchi 3 na unene wa 350 µm ± 25 µm imeundwa mahsusi kwa ajili ya matumizi ya vifaa vya elektroniki vya umeme vinavyohitaji substrates zenye utendaji wa hali ya juu. Wafer hii ya SiC hutoa upitishaji bora wa joto, volteji ya juu ya kuvunjika, na ufanisi katika halijoto ya juu ya uendeshaji, na kuifanya kuwa chaguo bora kwa mahitaji yanayoongezeka ya vifaa vya elektroniki vyenye nguvu na ufanisi wa nishati. Wafer za SiC zinafaa hasa kwa matumizi ya volteji ya juu, mkondo wa juu, na masafa ya juu, ambapo substrates za silicon za kitamaduni hushindwa kukidhi mahitaji ya uendeshaji.
Kaki yetu ya HPSI SiC, iliyotengenezwa kwa kutumia mbinu za kisasa zinazoongoza katika tasnia, inapatikana katika daraja kadhaa, kila moja ikiwa imeundwa kukidhi mahitaji maalum ya utengenezaji. Kaki hii inaonyesha uadilifu bora wa kimuundo, sifa za umeme, na ubora wa uso, ikihakikisha kwamba inaweza kutoa utendaji wa kuaminika katika matumizi yanayohitaji nguvu nyingi, ikiwa ni pamoja na semiconductors za umeme, magari ya umeme (EV), mifumo ya nishati mbadala, na ubadilishaji wa umeme wa viwandani.

Tutumie barua pepe

Vipengele

Maombi

Vigae vya HPSI SiC hutumika katika matumizi mbalimbali ya vifaa vya kielektroniki, ikiwa ni pamoja na:

Semikondakta za Nguvu:Wafer za SiC hutumiwa sana katika utengenezaji wa diode za nguvu, transistors (MOSFETs, IGBTs), na thyristors. Semiconductors hizi hutumika sana katika matumizi ya ubadilishaji wa nguvu ambayo yanahitaji ufanisi na uaminifu wa hali ya juu, kama vile katika diski za injini za viwandani, vifaa vya umeme, na vibadilishaji umeme kwa mifumo ya nishati mbadala.
Magari ya Umeme (EV):Katika mitambo ya umeme ya magari ya umeme, vifaa vya umeme vinavyotumia SiC hutoa kasi ya haraka ya kubadili, ufanisi mkubwa wa nishati, na upotevu mdogo wa joto. Vipengele vya SiC vinafaa kwa matumizi katika mifumo ya usimamizi wa betri (BMS), miundombinu ya kuchaji, na chaja zilizo ndani ya gari (OBC), ambapo kupunguza uzito na kuongeza ufanisi wa ubadilishaji wa nishati ni muhimu.

Mifumo ya Nishati Mbadala:Vigae vya SiC vinazidi kutumika katika vibadilishaji nishati vya jua, jenereta za turbine za upepo, na mifumo ya kuhifadhi nishati, ambapo ufanisi na uimara wa hali ya juu ni muhimu. Vipengele vinavyotegemea SiC huwezesha msongamano mkubwa wa nguvu na utendaji ulioboreshwa katika matumizi haya, na kuboresha ufanisi wa jumla wa ubadilishaji wa nishati.

Elektroniki za Nguvu za Viwandani:Katika matumizi ya viwanda yenye utendaji wa hali ya juu, kama vile viendeshi vya magari, roboti, na vifaa vikubwa vya umeme, matumizi ya wafer za SiC huruhusu utendaji ulioboreshwa katika suala la ufanisi, uaminifu, na usimamizi wa joto. Vifaa vya SiC vinaweza kushughulikia masafa ya juu ya kubadili na halijoto ya juu, na kuvifanya vifae kwa mazingira yenye mahitaji mengi.

Vituo vya Mawasiliano na Data:SiC hutumika katika vifaa vya umeme kwa vifaa vya mawasiliano ya simu na vituo vya data, ambapo uaminifu wa hali ya juu na ubadilishaji wa umeme unaofaa ni muhimu. Vifaa vya umeme vinavyotumia SiC huwezesha ufanisi wa juu katika ukubwa mdogo, jambo linalosababisha kupungua kwa matumizi ya umeme na ufanisi bora wa kupoeza katika miundombinu mikubwa.

Volti ya kuvunjika kwa kiwango cha juu, upinzani mdogo wa joto, na upitishaji bora wa joto wa wafer za SiC huzifanya kuwa msingi bora kwa matumizi haya ya hali ya juu, na kuwezesha ukuzaji wa vifaa vya elektroniki vya umeme vya kizazi kijacho vinavyotumia nishati kwa ufanisi.

Mali

Mali	Thamani
Kipenyo cha kaki	Inchi 3 (milimita 76.2)
Unene wa kaki	350 µm ± 25 µm
Mwelekeo wa kafu	<0001> kwenye mhimili ± 0.5°
Uzito wa Miripu Ndogo (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Upinzani wa Umeme	≥ 1E7 Ω·cm
Dopant	Imeondolewa
Mwelekeo wa Msingi Bapa	{11-20} ± 5.0°
Urefu wa Msingi Bapa	32.5 mm ± 3.0 mm
Urefu wa Pili Bapa	18.0 mm ± 2.0 mm
Mwelekeo wa Pili Bapa	Ikiwa unaangalia juu: 90° CW kutoka gorofa ya msingi ± 5.0°
Kutengwa kwa Ukingo	3 mm
LTV/TTV/Upinde/Mviringo	3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm
Ukali wa Uso	Uso-C: Imeng'arishwa, Uso-Si: CMP
Nyufa (zinazokaguliwa na mwanga mkali)	Hakuna
Sahani za Hex (zinazokaguliwa na mwanga wa kiwango cha juu)	Hakuna
Maeneo ya Polytype (yanakaguliwa na mwanga mkali)	Eneo la jumla 5%
Mikwaruzo (iliyokaguliwa na mwanga mkali)	≤ mikwaruzo 5, urefu wa jumla ≤ 150 mm
Kukata Ukingo	Hakuna kinachoruhusiwa ≥ upana na kina cha milimita 0.5
Uchafuzi wa Uso (hukaguliwa na mwanga mkali)	Hakuna

Faida Muhimu

Upitishaji wa Joto la Juu:Wafer za SiC zinajulikana kwa uwezo wao wa kipekee wa kusambaza joto, jambo ambalo huruhusu vifaa vya umeme kufanya kazi kwa ufanisi mkubwa na kushughulikia mikondo ya juu bila joto kali. Kipengele hiki ni muhimu katika vifaa vya elektroniki vya umeme ambapo usimamizi wa joto ni changamoto kubwa.
Volti ya Uharibifu wa Juu:Upeo mpana wa SiC huwezesha vifaa kuvumilia viwango vya juu vya volteji, na kuvifanya viwe bora kwa matumizi ya volteji nyingi kama vile gridi za umeme, magari ya umeme, na mashine za viwandani.
Ufanisi wa Juu:Mchanganyiko wa masafa ya juu ya kubadili na upinzani mdogo husababisha vifaa vyenye upotevu mdogo wa nishati, kuboresha ufanisi wa jumla wa ubadilishaji wa nguvu na kupunguza hitaji la mifumo tata ya kupoeza.
Kuaminika katika Mazingira Magumu:SiC ina uwezo wa kufanya kazi katika halijoto ya juu (hadi 600°C), jambo linaloifanya iweze kutumika katika mazingira ambayo vinginevyo yangeharibu vifaa vya kitamaduni vinavyotegemea silikoni.
Akiba ya Nishati:Vifaa vya umeme vya SiC huboresha ufanisi wa ubadilishaji wa nishati, jambo ambalo ni muhimu katika kupunguza matumizi ya nishati, hasa katika mifumo mikubwa kama vile vibadilishaji umeme vya viwandani, magari ya umeme, na miundombinu ya nishati mbadala.