Kiolezo cha AlN kwenye FSS cha inchi 2 cha NPSS/FSS cha inchi 4 kwa eneo la nusu nusu

AlN kwenye FSS Kiolezo cha NPSS/FSS cha inchi 2 cha inchi 4 cha AlN kwa eneo la nusu nusu Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Mafupi:

Wafer za AlN kwenye FSS (Substrate Flexible) hutoa mchanganyiko wa kipekee wa upitishaji joto wa kipekee, nguvu ya mitambo, na sifa za kuhami umeme za Aluminium Nitride (AlN), zikiunganishwa na unyumbufu wa substrate yenye utendaji wa juu. Wafer hizi za inchi 2 na inchi 4 zimeundwa mahsusi kwa matumizi ya hali ya juu ya nusu-semiconductor, haswa ambapo usimamizi wa joto na unyumbufu wa kifaa ni muhimu. Kwa chaguo la NPSS (Substrate Isiyong'arishwa) na FSS (Substrate Flexible) kama msingi, templeti hizi za AlN zinafaa kwa matumizi katika vifaa vya elektroniki vya umeme, vifaa vya RF, na mifumo ya kielektroniki inayonyumbulika, ambapo upitishaji joto wa juu na ujumuishaji unaonyumbulika ni muhimu kwa kuboresha utendaji na uaminifu wa kifaa.

Tutumie barua pepe

Vipengele

Mali

Muundo wa Nyenzo:
Nitridi ya Alumini (AlN) – Safu nyeupe ya kauri yenye utendaji wa hali ya juu inayotoa upitishaji bora wa joto (kawaida 200-300 W/m·K), insulation nzuri ya umeme, na nguvu ya juu ya mitambo.
Sehemu Ndogo Inayonyumbulika (FSS) – Filamu za polima zinazonyumbulika (kama vile Polyimide, PET, n.k.) zinazotoa uimara na urahisi wa kupinda bila kuathiri utendaji kazi wa safu ya AlN.

Ukubwa wa kaki Unapatikana:
Inchi 2 (50.8mm)
Inchi 4 (100mm)

Unene:
Safu ya AlN: 100-2000nm
Unene wa FSS Substrate: 50µm-500µm (inaweza kubinafsishwa kulingana na mahitaji)

Chaguzi za Kumaliza Uso:
NPSS (Njia Ndogo Isiyong'arishwa) – Uso wa sehemu ndogo isiyong'arishwa, unaofaa kwa matumizi fulani ambayo yanahitaji wasifu wa uso mgumu zaidi kwa ajili ya kushikamana au kuunganishwa vizuri.
FSS (Substrate Inayonyumbulika) – Filamu inayonyumbulika iliyong'arishwa au isiyong'arishwa, yenye chaguo la nyuso laini au zenye umbile, kulingana na mahitaji maalum ya matumizi.

Sifa za Umeme:
Kuhami joto - Sifa za kuhami joto za umeme za AlN huifanya iwe bora kwa matumizi ya semiconductor zenye volteji nyingi na nguvu.
Kiotomatiki cha Dielectric: ~9.5
Upitishaji wa joto: 200-300 W/m·K (kulingana na daraja maalum la AlN na unene)

Sifa za Kimitambo:
Unyumbufu: AlN huwekwa kwenye substrate inayonyumbufu (FSS) ambayo inaruhusu kupinda na kunyumbufu.
Ugumu wa Uso: AlN ni imara sana na hustahimili uharibifu wa kimwili chini ya hali ya kawaida ya uendeshaji.

Maombi

Vifaa vya Nguvu ya Juu: Inafaa kwa vifaa vya elektroniki vya umeme vinavyohitaji utengamano mkubwa wa joto, kama vile vibadilishaji umeme, vikuza sauti vya RF, na moduli za LED zenye nguvu nyingi.

Vipengele vya RF na Microwave: Inafaa kwa vipengele kama vile antena, vichujio, na vihisishi ambapo upitishaji joto na unyumbufu wa mitambo vinahitajika.

Elektroniki Zinazonyumbulika: Inafaa kwa matumizi ambapo vifaa vinahitaji kuendana na nyuso zisizo na sayari au vinahitaji muundo mwepesi na unaonyumbulika (km, vifaa vya kuvaliwa, vitambuzi vinavyonyumbulika).

Ufungashaji wa Semiconductor: Hutumika kama substrate katika vifungashio vya nusu-semiconductor, ikitoa utengano wa joto katika matumizi yanayozalisha joto kali.

LED na OptoelectronicsKwa vifaa vinavyohitaji uendeshaji wa halijoto ya juu na uondoaji thabiti wa joto.

Jedwali la Vigezo

Mali	Thamani au Masafa
Ukubwa wa kaki	Inchi 2 (50.8mm), inchi 4 (100mm)
Unene wa Tabaka la AlN	100nm – 2000nm
Unene wa FSS Substrate	50µm – 500µm (inaweza kubinafsishwa)
Uendeshaji wa joto	200 – 300 W/m·K
Sifa za Umeme	Kihami joto (Kiyoyozi cha Dielectric: ~9.5)
Kumaliza Uso	Imeng'arishwa au Haijang'arishwa
Aina ya Sehemu Ndogo	NPSS (Njia Ndogo Isiyong'arishwa), FSS (Njia Ndogo Inayonyumbulika)
Unyumbufu wa Kimitambo	Unyumbufu wa hali ya juu, bora kwa vifaa vya elektroniki vinavyonyumbulika
Rangi	Nyeupe hadi Isiyo Nyeupe (kulingana na sehemu ya chini)

Maombi

●Elektroniki za Nguvu:Mchanganyiko wa upitishaji joto wa hali ya juu na unyumbufu hufanya wafer hizi kuwa bora kwa vifaa vya umeme kama vile vibadilishaji umeme, transistors, na vidhibiti vya volteji vinavyohitaji uondoaji joto kwa ufanisi.
●Vifaa vya RF/Microwave:Kwa sababu ya sifa bora za joto za AlN na upitishaji mdogo wa umeme, wafer hizi hutumika katika vipengele vya RF kama vile vipaza sauti, vitetemeshi, na antena.
●Elektroniki Zinazonyumbulika:Unyumbulifu wa safu ya FSS pamoja na usimamizi bora wa joto wa AlN hufanya iwe chaguo bora kwa vifaa vya elektroniki na vitambuzi vinavyoweza kuvaliwa.
●Ufungaji wa Semiconductor:Hutumika kwa ajili ya vifungashio vya nusu-semiconductor vyenye utendaji wa hali ya juu ambapo utengano mzuri wa joto na uaminifu ni muhimu.
●Matumizi ya LED na Optoelectronic:Nitridi ya Alumini ni nyenzo bora kwa ajili ya vifungashio vya LED na vifaa vingine vya optoelectronic vinavyohitaji upinzani mkubwa wa joto.

Maswali na Majibu (Maswali Yanayoulizwa Mara kwa Mara)

Swali la 1: Je, ni faida gani za kutumia AlN kwenye wafer za FSS?

A1: AlN kwenye wafer za FSS huchanganya upitishaji joto wa juu na sifa za kuhami umeme za AlN na unyumbufu wa mitambo wa substrate ya polima. Hii huwezesha uboreshaji wa utengamano wa joto katika mifumo ya kielektroniki inayonyumbulika huku ikidumisha uadilifu wa kifaa chini ya hali ya kupinda na kunyoosha.

Swali la 2: Ni ukubwa gani unaopatikana kwa AlN kwenye wafer za FSS?

A2: TunatoaInchi 2naInchi 4Saizi za wafer. Saizi maalum zinaweza kujadiliwa kwa ombi ili kukidhi mahitaji yako maalum ya matumizi.

Swali la 3: Je, ninaweza kubinafsisha unene wa safu ya AlN?

A3: Ndiyo,Unene wa safu ya AlNinaweza kubinafsishwa, ikiwa na masafa ya kawaida kuanzia100nm hadi 2000nmkulingana na mahitaji yako ya maombi.