3inch Dia76.2mm SiC hubadilisha Utafiti Mkuu wa HPSI na daraja la Dummy

Substrate conductive: inarejelea upinzani wa 15 ~ 30mΩ-cm ya silicon carbudi substrate.Kaki ya silicon carbide epitaxial iliyokuzwa kutoka kwa substrate ya silicon ya CARBIDE ya conductive inaweza kufanywa zaidi kuwa vifaa vya nguvu, ambavyo hutumika sana katika magari mapya ya nishati, photovoltaiki, gridi mahiri na usafiri wa reli.

Nusu kuhami substrate inahusu resistivity juu kuliko 100000Ω-cm silicon CARBIDE substrate, hasa kutumika katika utengenezaji wa gallium nitridi vifaa frequency redio microwave, ni msingi wa uwanja wa mawasiliano ya wireless.

Ni sehemu ya msingi katika uwanja wa mawasiliano ya wireless.

Sehemu ndogo za silicon carbide conductive na nusu-insulating hutumiwa katika anuwai ya vifaa vya elektroniki na vifaa vya nguvu, ikijumuisha, lakini sio mdogo kwa yafuatayo:

Vifaa vya semiconductor vyenye nguvu ya juu (conductive): Sehemu ndogo za kaboni za silicon zina nguvu kubwa ya shamba na upitishaji wa joto, na zinafaa kwa utengenezaji wa transistors za nguvu za juu na diodi na vifaa vingine.

Vifaa vya kielektroniki vya RF (vilivyopitisha maboksi nusu): Sehemu ndogo za Silicon Carbide zina kasi ya juu ya kubadili na kustahimili nguvu, zinafaa kwa matumizi kama vile vikuza umeme vya RF, vifaa vya microwave na swichi za masafa ya juu.

Vifaa vya Optoelectronic (vilivyopitisha nusu-maboksi): Sehemu ndogo za kaboni za silicon zina pengo kubwa la nishati na uthabiti wa hali ya juu wa joto, zinafaa kwa kutengeneza fotodiodi, seli za jua na diodi za leza na vifaa vingine.

Sensorer za joto (conductive): Sehemu ndogo za kaboni za silicon zina conductivity ya juu ya mafuta na utulivu wa joto, zinazofaa kwa ajili ya uzalishaji wa sensorer za joto la juu na vyombo vya kupima joto.

Mchakato wa uzalishaji na matumizi ya substrates za silicon carbide conductive na nusu-insulating zina nyanja mbalimbali na uwezo, kutoa uwezekano mpya kwa ajili ya maendeleo ya vifaa vya umeme na vifaa vya nguvu.