Kaki za inchi 2 za Silicon Carbide 6H au 4H N-aina au Nusu-Insulating SiC Substrates

4H SiC kaki N-aina
Kipenyo: 2 inchi 50.8mm | 4 inchi 100mm | 6 inchi 150 mm
Mwelekeo: nje ya mhimili 4.0˚ kuelekea <1120> ± 0.5˚
Upinzani: <0.1 ohm.cm
Ukali: Si-face CMP Ra <0.5nm, C-face polish ya macho Ra <1 nm

4H SiC kaki Semi-kuhami
Kipenyo: 2 inchi 50.8mm | 4 inchi 100mm | 6 inchi 150 mm
Mwelekeo: kwenye mhimili {0001} ± 0.25˚
Upinzani: >1E5 ohm.cm
Ukali: Si-face CMP Ra <0.5nm, C-face polish ya macho Ra <1 nm

1. Miundombinu ya 5G -- usambazaji wa nishati ya mawasiliano.
Ugavi wa nishati ya mawasiliano ni msingi wa nishati kwa mawasiliano ya seva na kituo cha msingi. Inatoa nishati ya umeme kwa vifaa mbalimbali vya maambukizi ili kuhakikisha uendeshaji wa kawaida wa mfumo wa mawasiliano.

2. Rundo la kuchaji la magari mapya ya nishati -- moduli ya nguvu ya rundo la kuchaji.
Ufanisi wa juu na nguvu ya juu ya moduli ya nguvu ya rundo la kuchaji inaweza kupatikana kwa kutumia silicon carbudi kwenye moduli ya nguvu ya rundo la kuchaji, ili kuboresha kasi ya kuchaji na kupunguza gharama ya kuchaji.

3. Kituo kikubwa cha data, Mtandao wa Viwanda -- usambazaji wa nishati ya seva.
Ugavi wa nishati ya seva ni maktaba ya nishati ya seva. Seva hutoa nguvu ili kuhakikisha uendeshaji wa kawaida wa mfumo wa seva. Utumiaji wa vipengee vya nguvu vya silicon carbudi katika usambazaji wa nishati ya seva inaweza kuboresha wiani wa nguvu na ufanisi wa usambazaji wa nishati ya seva, kupunguza kiasi cha kituo cha data kwa ujumla, kupunguza gharama ya jumla ya ujenzi wa kituo cha data, na kufikia mazingira ya juu zaidi. ufanisi.

4. Uhv - Utumiaji wa vivunja mzunguko wa mzunguko wa DC vinavyobadilika.

5. Upitishaji wa reli ya kasi ya juu na upitishaji wa reli ya kati -- vigeuzi vya mvuto, transfoma ya umeme yenye nguvu, vigeuzi saidizi, vifaa vya umeme vya ziada.