150mm 200mm 6inch 8inch GaN kwenye Silicon Epi-safu ya kaki Gallium nitride epitaxial kaki

Maelezo Fupi:

Kaki ya safu ya inchi 6 ya GaN Epi ni nyenzo ya ubora wa juu ya semiconductor inayojumuisha tabaka za gallium nitride (GaN) iliyokuzwa kwenye substrate ya silicon.Nyenzo hiyo ina mali bora ya usafiri wa elektroniki na ni bora kwa utengenezaji wa vifaa vya semiconductor vya nguvu ya juu na masafa ya juu.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Mbinu ya utengenezaji

Mchakato wa utengenezaji unahusisha ukuzaji wa tabaka za GaN kwenye kipande cha yakuti safi kwa kutumia mbinu za hali ya juu kama vile uwekaji wa mvuke wa kemikali-hai wa metali (MOCVD) au epitaksi ya molekuli (MBE).Mchakato wa uwekaji unafanywa chini ya hali zilizodhibitiwa ili kuhakikisha ubora wa juu wa fuwele na filamu sare.

6inch GaN-On-Sapphire maombi: 6-inch sapphire substrate chips hutumiwa sana katika mawasiliano ya microwave, mifumo ya rada, teknolojia ya wireless na optoelectronics.

Baadhi ya maombi ya kawaida ni pamoja na

1. Amplifier ya nguvu ya Rf

2. Sekta ya taa ya LED

3. Vifaa vya mawasiliano vya mtandao visivyo na waya

4. Vifaa vya umeme katika mazingira ya joto la juu

5. Vifaa vya Optoelectronic

Vipimo vya bidhaa

- Ukubwa: Kipenyo cha substrate ni inchi 6 (karibu 150 mm).

- Ubora wa uso: Uso umeng'olewa vyema ili kutoa ubora bora wa kioo.

- Unene: Unene wa safu ya GaN inaweza kubinafsishwa kulingana na mahitaji maalum.

- Ufungaji: Sehemu ndogo imefungwa kwa uangalifu na vifaa vya kuzuia tuli ili kuzuia uharibifu wakati wa usafirishaji.

- Mipangilio ya kingo: Sehemu ndogo ina kingo maalum za kuweka ambazo hurahisisha upangaji na utendakazi wakati wa utayarishaji wa kifaa.

- Vigezo vingine: Vigezo maalum kama vile wembamba, upinzani na mkusanyiko wa doping vinaweza kubadilishwa kulingana na mahitaji ya wateja.

Pamoja na mali zao za hali ya juu na matumizi tofauti, kaki za sapphire za inchi 6 ni chaguo la kuaminika kwa ukuzaji wa vifaa vya utendaji wa juu vya semiconductor katika tasnia mbalimbali.

Substrate	6” 1mm <111> p-aina ya Si	6” 1mm <111> p-aina ya Si
Epi ThickAvg	~5um	~ 7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Upinde	+/-45um	+/-45um
Kupasuka	chini ya mm 5	chini ya mm 5
BV wima	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
Mchanganyiko wa 2DEG	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Uhamaji	~2000cm²/Vs (<2%)	~2000cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/sq (<2%)	<330ohm/sq (<2%)