Grafiti ya sahani ya trei ya kauri ya SiC yenye mipako ya CVD SiC kwa vifaa

Kauri za silicon carbide hazitumiki tu katika hatua nyembamba ya uwekaji wa filamu, kama vile epitaksi au MOCVD, au katika usindikaji wa wafer, ambapo trei za wafer za MOCVD huwekwa kwenye mazingira ya uwekaji, na kwa hivyo zinastahimili joto na kutu. Vibebaji vilivyofunikwa na SiC pia vina upitishaji wa joto mwingi na sifa bora za usambazaji wa joto.

Vibebaji vya wafer vya Uwekaji wa Mvuke wa Kemikali Safi wa Silicon Carbide (CVD SiC) kwa ajili ya usindikaji wa joto la juu wa Uwekaji wa Mvuke wa Kemikali ya Metal Organic (MOCVD).

Vibebaji vya kaki vya CVD SiC safi ni bora zaidi kuliko vibebaji vya kaki vya kawaida vinavyotumika katika mchakato huu, ambavyo ni grafiti na vimefunikwa na safu ya CVD SiC. Vibebaji hivi vinavyotokana na grafiti vilivyofunikwa haviwezi kuhimili halijoto ya juu (nyuzi 1100 hadi 1200 Selsiasi) vinavyohitajika kwa ajili ya uwekaji wa GaN wa taa ya bluu na nyeupe yenye mwangaza wa juu ya leo. Halijoto ya juu husababisha mipako hiyo kutengeneza mashimo madogo ambayo kemikali za mchakato humomonyoa grafiti iliyo chini. Chembe za grafiti kisha hupasuka na kuchafua GaN, na kusababisha kibebaji cha kaki kilichofunikwa kubadilishwa.

CVD SiC ina usafi wa 99.999% au zaidi na ina upitishaji joto wa juu na upinzani wa mshtuko wa joto. Kwa hivyo, inaweza kuhimili halijoto ya juu na mazingira magumu ya utengenezaji wa LED zenye mwangaza wa juu. Ni nyenzo imara ya monolithic inayofikia msongamano wa kinadharia, hutoa chembe ndogo, na inaonyesha upinzani mkubwa wa kutu na mmomonyoko. Nyenzo inaweza kubadilisha uwazi na upitishaji bila kuingiza uchafu wa metali. Wabebaji wa wafer kwa kawaida huwa na kipenyo cha inchi 17 na wanaweza kushikilia hadi wafer 40 za inchi 2-4.