SiC Ceramic Uma Mkono / Kichocheo cha Mwisho - Ushughulikiaji wa Usahihi wa Kina kwa Utengenezaji wa Semiconductor

Mkono/Kifaa cha Uma wa Kauri wa SiC – Ushughulikiaji wa Usahihi wa Kina kwa Utengenezaji wa Semiconductor Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Mafupi:

SiC Ceramic Fork Arm, ambayo mara nyingi hujulikana kama Ceramic End Effector, ni sehemu ya utunzaji wa usahihi wa hali ya juu iliyoundwa mahsusi kwa ajili ya usafirishaji, upangiliaji, na uwekaji katika tasnia za teknolojia ya hali ya juu, haswa ndani ya uzalishaji wa nusu-semiconductor na photovoltaic. Imetengenezwa kwa kutumia kauri za silikoni zenye usafi wa hali ya juu, sehemu hii inachanganya nguvu ya kipekee ya kiufundi, upanuzi wa joto la chini sana, na upinzani bora dhidi ya mshtuko wa joto na kutu.

Tutumie barua pepe

Vipengele

Mchoro wa Kina

Muhtasari wa Bidhaa

Tofauti na vitendaji vya kawaida vya mwisho vilivyotengenezwa kwa alumini, chuma cha pua, au hata kwartz, vitendaji vya mwisho vya kauri vya SiC hutoa utendaji usio na kifani katika vyumba vya utupu, vyumba vya usafi, na mazingira magumu ya usindikaji, na kuvifanya kuwa sehemu muhimu ya roboti za utunzaji wa wafer za kizazi kijacho. Kwa kuongezeka kwa mahitaji ya uzalishaji usio na uchafuzi na uvumilivu mkali katika utengenezaji wa chipsi, matumizi ya vitendaji vya mwisho vya kauri yanakuwa kiwango cha tasnia haraka.

Kanuni ya Uzalishaji

Ubunifu waViathiri vya Mwisho vya Kauri vya SiCInahusisha mfululizo wa michakato ya usahihi wa hali ya juu na usafi wa hali ya juu ambayo inahakikisha utendaji na uimara. Michakato miwili mikuu kwa kawaida hutumiwa:

Kabidi ya Silikoni Iliyounganishwa na Mwitikio (RB-SiC)

Katika mchakato huu, preform iliyotengenezwa kwa unga wa kabidi ya silikoni na binder huingizwa na silikoni iliyoyeyushwa kwenye halijoto ya juu (~1500°C), ambayo humenyuka na kaboni iliyobaki na kuunda mchanganyiko mnene na mgumu wa SiC-Si. Njia hii inatoa udhibiti bora wa vipimo na ina gharama nafuu kwa uzalishaji mkubwa.

Kabidi ya Silikoni Isiyo na Shinikizo (SSiC)

SSiC hutengenezwa kwa kuchuja unga wa SiC laini sana, na usafi wa hali ya juu katika halijoto ya juu sana (>2000°C) bila kutumia viongeza au awamu ya kufungamana. Hii husababisha bidhaa yenye msongamano wa karibu 100% na sifa za juu zaidi za kiufundi na joto zinazopatikana miongoni mwa vifaa vya SiC. Ni bora kwa matumizi ya utunzaji wa wafer muhimu sana.

Uchakataji Baada ya Uchakataji

Usahihi wa Mashine ya CNC: Hufikia ulalo wa hali ya juu na usawa.
Kumaliza Uso: Kung'arisha almasi hupunguza ukali wa uso hadi <0.02 µm.
Ukaguzi: Interferometri ya macho, CMM, na upimaji usioharibu hutumiwa kuthibitisha kila kipande.

Hatua hizi zinahakikisha kwambaKiathiri mwisho cha SiChutoa usahihi thabiti wa uwekaji wa wafer, mpangilio bora, na uzalishaji mdogo wa chembe.

Vipengele Muhimu na Faida

Kipengele	Maelezo
Ugumu wa Juu Sana	Ugumu wa Vickers > 2500 HV, unaopinga uchakavu na chips.
Upanuzi wa Joto la Chini	CTE ~4.5×10⁻⁶/K, kuwezesha uthabiti wa vipimo katika mzunguko wa joto.
Uzembe wa Kemikali	Hustahimili HF, HCl, gesi za plasma, na viambato vingine vya babuzi.
Upinzani Bora wa Mshtuko wa Joto	Inafaa kwa kupasha/kupoeza haraka katika mifumo ya utupu na tanuru.
Uthabiti na Nguvu ya Juu	Husaidia mikono mirefu ya uma yenye meno bila kupotoka.
Kuzidisha gesi kwa Kiwango cha Chini	Inafaa kwa mazingira ya utupu wa hali ya juu sana (UHV).
Chumba cha Kusafisha cha Daraja la 1 cha ISO Kiko Tayari	Uendeshaji usio na chembe huhakikisha uadilifu wa wafer.

Maombi

SiC Ceramic Fork Arm/End Effector hutumika sana katika viwanda vinavyohitaji usahihi mkubwa, usafi, na upinzani wa kemikali. Hali muhimu za matumizi ni pamoja na:

Utengenezaji wa Semiconductor

Kupakia/kushusha wafer katika sehemu ya kuhifadhi (CVD, PVD), kung'oa (RIE, DRIE), na mifumo ya kusafisha.
Usafirishaji wa roboti kati ya FOUP, kaseti, na zana za usindikaji.
Ushughulikiaji wa joto la juu wakati wa usindikaji wa joto au upashaji joto.

Uzalishaji wa Seli za Photovoltaic

Usafirishaji maridadi wa wafer dhaifu wa silikoni au substrates za jua katika mistari otomatiki.

Sekta ya Onyesho la Paneli Bapa (FPD)

Kuhamisha paneli kubwa za kioo au substrates katika mazingira ya uzalishaji wa OLED/LCD.

Kinundu cha Semikondukta / MEMS

Hutumika katika mistari ya utengenezaji wa GaN, SiC, na MEMS ambapo udhibiti wa uchafuzi na usahihi wa uwekaji ni muhimu.

Jukumu lake la athari ya mwisho ni muhimu sana katika kuhakikisha utunzaji thabiti na usio na kasoro wakati wa shughuli nyeti.

Uwezo wa Kubinafsisha

Tunatoa ubinafsishaji mpana ili kukidhi mahitaji tofauti ya vifaa na michakato:

Ubunifu wa Uma: Mipangilio ya meno mawili, vidole vingi, au viwango vilivyogawanyika.
Utangamano wa Ukubwa wa Kafe: Kuanzia wafers za inchi 2 hadi inchi 12.
Violesura vya Kuweka: Inapatana na mikono ya roboti ya OEM.
Unene na Uvumilivu wa Uso: Ulalo wa kiwango cha micron na mzunguko wa ukingo unapatikana.
Vipengele vya Kuzuia Kuteleza: Umbile au mipako ya uso ya hiari kwa ajili ya mshiko imara wa wafer.

Kila mojakichocheo cha mwisho cha kauriimeundwa kwa ushirikiano na wateja ili kuhakikisha ufaafu sahihi na mabadiliko madogo ya vifaa.

Maswali Yanayoulizwa Mara kwa Mara (Maswali Yanayoulizwa Mara kwa Mara)

Swali la 1: Je, SiC ni bora zaidi kuliko quartz kwa matumizi ya kichocheo cha mwisho?
A1:Ingawa quartz hutumika sana kwa usafi wake, haina uimara wa kiufundi na inaweza kuvunjika chini ya mshtuko wa mzigo au halijoto. SiC hutoa nguvu bora, upinzani wa uchakavu, na uthabiti wa joto, na hivyo kupunguza kwa kiasi kikubwa hatari ya muda wa kutofanya kazi na uharibifu wa wafer.

Swali la 2: Je, mkono huu wa uma wa kauri unaendana na vishikio vyote vya roboti vya wafer?
A2:Ndiyo, vichocheo vyetu vya mwisho vya kauri vinaendana na mifumo mingi mikubwa ya utunzaji wa wafer na vinaweza kubadilishwa kulingana na mifumo yako maalum ya roboti yenye michoro sahihi ya uhandisi.

Q3: Je, inaweza kushughulikia wafers za milimita 300 bila kupindika?
A3:Bila shaka. Ugumu wa hali ya juu wa SiC huruhusu hata mikono nyembamba na mirefu ya uma kushikilia wafers za milimita 300 kwa usalama bila kulegea au kupotoka wakati wa mwendo.

Q4: Maisha ya kawaida ya huduma ya kichocheo cha mwisho cha kauri cha SiC ni yapi?
A4:Kwa matumizi sahihi, kichocheo cha mwisho cha SiC kinaweza kudumu mara 5 hadi 10 zaidi kuliko mifano ya jadi ya quartz au alumini, kutokana na upinzani wake bora kwa mkazo wa joto na mitambo.

Swali la 5: Je, mnatoa huduma za kubadilisha au kutoa mifano ya haraka?
A5:Ndiyo, tunaunga mkono uzalishaji wa sampuli wa haraka na tunatoa huduma za uingizwaji kulingana na michoro ya CAD au sehemu zilizoundwa kinyume kutoka kwa vifaa vilivyopo.

Kuhusu Sisi

XKH inataalamu katika maendeleo ya teknolojia ya juu, uzalishaji, na uuzaji wa glasi maalum za macho na vifaa vipya vya fuwele. Bidhaa zetu hutoa vifaa vya elektroniki vya macho, vifaa vya elektroniki vya watumiaji, na jeshi. Tunatoa vipengele vya macho vya Sapphire, vifuniko vya lenzi za simu za mkononi, Kauri, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, na wafers za fuwele za semiconductor. Kwa utaalamu stadi na vifaa vya kisasa, tunafanikiwa katika usindikaji wa bidhaa usio wa kawaida, tukilenga kuwa biashara inayoongoza ya teknolojia ya juu ya vifaa vya optoelectronic.