Bidhaa
-
SiC kauri chuck trei Vikombe vya kufyonza vya kauri utayarishaji wa usahihi umeboreshwa
-
Sapphire fiber kipenyo cha 75-500μm LHPG mbinu inaweza kutumika kwa ajili ya yakuti nyuzinyuzi kihisi joto la juu.
-
Sapphire fiber single crystal Al₂O₃ kiwango cha juu cha kuyeyuka cha upitishaji wa macho 2072℃ kinaweza kutumika kwa nyenzo za dirisha la leza.
-
Sapphire Substrate yenye muundo PSS 2inch 4inch 6inch ICP kavu etching inaweza kutumika kwa chips LED
-
Mashine ndogo ya kuchomwa ya laser ya meza 1000W-6000W kiwango cha chini cha tundu la 0.1MM inaweza kutumika kwa vifaa vya kauri vya glasi ya chuma.
-
Sapphire thermocouple protection tube bidhaa za viwandani hutumia Single crystal Al2O3
-
Mashine ya kuchimba visima ya laser ya usahihi wa hali ya juu ya nyenzo za kauri ya yakuti vito vya kuchimba vito vya pua
-
Sapphire single crystal tanuru ya ukuaji ya Al2O3 KY Mbinu ya Kyropoulos uzalishaji wa fuwele ya samadi ya hali ya juu
-
Inchi 2 Inchi 4 Inchi 6 Sehemu ndogo ya Sapphire yenye muundo (PSS) ambayo nyenzo ya GaN inakuzwa inaweza kutumika kwa mwanga wa LED.
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch uzalishaji wa daraja la Dummy Dia150mm Silicon carbudi substrate
-
Mfumo wa ukuaji wa tanuru ya silicon ya monocrystalline monocrystalline ingot joto ya kifaa hadi 2100 ℃
-
Tanuru ya ukuaji wa fuwele ya yakuti Czochralski tanuru moja ya fuwele CZ ya kukuza kaki ya yakuti samawi ya ubora wa juu