Bidhaa
-
p-aina 4H/6H-P 3C-N AINA YA SIC substrate inchi 4 〈111〉± 0.5°Sifuri MPD
-
Sehemu ndogo ya SiC P-aina 4H/6H-P 3C-N 4inch yenye unene wa 350um Uzalishaji daraja la Dummy
-
4H/6H-P 6inch SiC kaki Daraja la Uzalishaji la Sifuri MPD Daraja la Dummy
-
Kaki ya SiC ya aina ya 4H/6H-P 3C-N unene wa inchi 6 350 μm yenye Mwelekeo wa Msingi wa Gorofa
-
Mkono wa aluminium wa kauri maalum Mkono wa roboti wa kauri
-
Sapphire tube KY Mbinu zote ni uwazi Customizable
-
Al2O3 99.999% ya blade maalum ya yakuti inayostahimili vazi la 38×4.5×0.3mmt
-
Upandikizaji wa nywele za blade ya yakuti unaweza kubinafsishwa kwa madhumuni ya matibabu
-
Lilac YAG malighafi poda zambarau katika hisa
-
Mchakato wa TVG kwenye sapphire ya quartz BF33 ya kaki ya kioo
-
Kaki ya Silicon ya Kioo Moja ya Aina ya N/P ya Hiari ya Silicon Carbide
-
N-Aina ya SiC Composite Substrates Dia6inch Ubora wa juu wa monocrystaline na substrate ya ubora wa chini