Ingo za LiTaO3 za Lithium Tantalate zenye Fe/Mg Doping Imeboreshwa 4inch 6inch 8 kwa ajili ya Kuhisi Viwandani

Ingo za LiTaO3 za Lithium Tantalate zenye Fe/Mg Doping Imeboreshwa 4inch 6inch 8 kwa ajili ya Kuhisi Kiwandani Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Ingoti za LiTaO3 (Ingoti za Lithium Tantalate), kama nyenzo za msingi kwa semiconductors na optoelectronics za kizazi cha tatu, huongeza joto lao la juu la Curie (607).°C), upeo mpana wa uwazi (nm 400–5,200), mgawo bora wa uunganishaji wa kielektroniki (Kt² >15%), na upotevu wa chini wa dielectri (tanδ <2%) ili kuleta mapinduzi katika mawasiliano ya 5G, kompyuta ya kiasi na uunganishaji wa picha. Kupitia teknolojia za hali ya juu za uundaji kama vile usafiri wa mvuke halisi (PVT) na uwekaji wa mvuke wa kemikali (CVD), tunatoa ingo za X/Y/Z-kata, 42°Y-cut, na zinazopigwa mara kwa mara (PPLT) katika vipimo vya inchi 3–8, zinazoangazia msongamano wa mirija ya chini ya chini <0.1 cm⁻² <0.1 cm⁻² na kutengana kwa sentimita 500. Huduma zetu ni pamoja na Fe/Mg doping, miongozo ya mawimbi ya kubadilishana protoni, na muunganisho wa hali ya juu wa silicon (POI), kushughulikia vichujio vya utendaji wa hali ya juu, vyanzo vya mwanga wa quantum na vigunduzi vya infrared. Nyenzo hii huleta mafanikio katika uboreshaji mdogo, uendeshaji wa masafa ya juu, na uthabiti wa joto, kuharakisha uingizwaji wa nyumbani na maendeleo ya kiteknolojia.

Tutumie barua pepe

Vipengele

Vigezo vya kiufundi

Vipimo	Kawaida	Usahihi wa Juu
Nyenzo	LiTaO3(LT)/ LiNbO3 kaki	Kaki za LiTaO3(LT)/LiNbO3
Mwelekeo	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°
Sambamba	30″	10''
Perpendicular	10′	5'
uso Ubora	40/20	20/10
Upotoshaji wa Wavefront	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Utulivu wa uso	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Kitundu Kiwazi	>90%	>90%
Chamfer	<0.2×45°	<0.2×45°
Uvumilivu wa Unene/Kipenyo	± 0.1 mm	± 0.1 mm
Vipimo vya juu zaidi	dia150×50mm	dia150×50mm

Huduma za XKH

1. Utengenezaji wa Ingot wa Kiwango Kikubwa.

Ukubwa na Kukata: ingo za inchi 3–8 zilizokatwa-X/Y/Z, 42°Y-kata, na vipunguzi maalum vya angular (uvumilivu ±0.01°).

Udhibiti wa Doping: Fe/Mg Co-doping kupitia mbinu ya Czochralski (aina ya mkusanyiko 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) ili kuboresha upinzani wa picha na uthabiti wa joto.

2. Teknolojia za Mchakato wa Juu.

Muunganisho Mseto: Kaki zenye mchanganyiko wa LiTaO3 zenye silicon (POI) zenye udhibiti wa unene (300–600 nm) na upitishaji wa mafuta hadi 8.78 W/m·K kwa vichujio vya SAW za masafa ya juu.

Uundaji wa Mwongozo wa Mawimbi: Ubadilishaji wa Protoni (PE) na mbinu za kubadilisha protoni (RPE), kufikia miongozo ya mawimbi ya submicron (Δn >0.7) kwa vidhibiti vya kasi vya juu vya macho ya kielektroniki (bandwidth > 40 GHz).

3. Mifumo ya Usimamizi wa Ubora

Jaribio la Mwisho-hadi-Mwisho: Mwonekano wa Raman (uthibitishaji wa aina nyingi), XRD (fuwele), AFM (mofolojia ya uso), na upimaji wa usawa wa macho (Δn <5×10⁻⁵).

4. Usaidizi wa Mnyororo wa Ugavi Duniani

Uwezo wa Uzalishaji: Pato la kila mwezi > ingo 5,000 (inchi 8: 70%), inayosaidia uwasilishaji wa dharura wa saa 48.

Mtandao wa Usafirishaji: Hushughulikia Ulaya, Amerika Kaskazini, na Asia-Pasifiki kupitia mizigo ya anga/baharini yenye vifungashio vinavyodhibitiwa na halijoto.

5. Ushirikiano wa Maendeleo ya Kiufundi

Maabara ya Pamoja ya R&D: Shirikiana kwenye majukwaa ya ujumuishaji ya picha (kwa mfano, uunganishaji wa safu ya hasara ya chini ya SiO2).

Muhtasari

Ingo za LiTaO3 hutumika kama nyenzo za kimkakati za kuunda upya optoelectronics na teknolojia za quantum. Kupitia ubunifu katika ukuaji wa fuwele (kwa mfano, PVT), kupunguza kasoro, na ujumuishaji wa hali tofauti (kwa mfano, POI), tunatoa suluhu za kutegemewa kwa kiwango cha juu, za gharama nafuu kwa mawasiliano ya 5G/6G, kompyuta ya kiasi, na IoT ya viwanda. Kujitolea kwa XKH kwa kuendeleza upunguzaji wa kasoro ya ingot na kuongeza uzalishaji wa inchi 8 huhakikisha wateja wanaongoza katika misururu ya usambazaji wa kimataifa, inayoendesha enzi inayofuata ya mifumo ikolojia ya semiconductor ya upana-bendi.