Ingoti za LiTaO3 Lithium Tantalate zenye Fe/Mg Doping Iliyobinafsishwa ya inchi 4 na inchi 6 na inchi 8 kwa ajili ya Kuhisi Viwandani

Maelezo Mafupi:

Ingoti za LiTaO3 (Ingoti za Lithium Tantalate), kama nyenzo kuu za semiconductors za kizazi cha tatu zenye pengo kubwa la bendi na vifaa vya elektroniki vya optoelectronics, hutumia halijoto yao ya juu ya Curie (607).°C), kiwango kikubwa cha uwazi (400–5,200 nm), mgawo bora wa kiunganishi cha kielektroniki (Kt² >15%), na upotevu mdogo wa dielektriki (tanδ <2%) ili kuleta mapinduzi katika mawasiliano ya 5G, kompyuta ya quantum, na ujumuishaji wa fotoniki. Kupitia teknolojia za hali ya juu za utengenezaji kama vile usafirishaji wa mvuke wa kimwili (PVT) na utuaji wa mvuke wa kemikali (CVD), tunatoa ingoti za X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, na periodic poled (PPLT)ingoti katika vipimo vya inchi 3–8, zikiwa na msongamano wa micropipe <0.1 cm⁻² na msongamano wa dislocation <500 cm⁻². Huduma zetu ni pamoja na doping ya Fe/Mg, miongozo ya mawimbi ya ubadilishaji wa protoni, na ujumuishaji tofauti wa silicon (POI), kushughulikia vichujio vya macho vya utendaji wa juu, vyanzo vya mwanga wa quantum, na vigunduzi vya infrared. Nyenzo hii huendesha mafanikio katika uundaji mdogo, uendeshaji wa masafa ya juu, na utulivu wa joto, kuharakisha ubadilishaji wa ndani na maendeleo ya kiteknolojia.

Tutumie barua pepe

Vipengele

Vigezo vya kiufundi

Vipimo	Kawaida	Usahihi wa Juu
Vifaa	Vijiti vya LiTaO3(LT)/ LiNbO3	Viazi vya LiTaO3(LT)/LiNbO3
Mwelekeo	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°
Sambamba	Inchi 30	10''
Mstari uliosimama	10′	5'
Ubora wa uso	40/20	20/10
Upotoshaji wa Mawimbi	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Uso Tambarare	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Kitundu Kilicho Wazi	>90%	>90%
Chamfer	<0.2×45°	<0.2×45°
Unene/Uvumilivu wa Kipenyo	± 0.1 mm	± 0.1 mm
Vipimo vya juu zaidi	kipenyo 150×50mm	kipenyo 150×50mm

Huduma za XKH

1. Utengenezaji wa Ingot Kubwa.

Ukubwa na Ukata: Ingizo za inchi 3–8 zenye X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, na mikato maalum ya pembe (±0.01° stahimilivu).

Udhibiti wa Doping: Utumiaji wa doping wa Fe/Mg kwa pamoja kupitia mbinu ya Czochralski (kiwango cha mkusanyiko 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) ili kuboresha upinzani wa mwangaza na uthabiti wa joto.

2. Teknolojia za Mchakato za Kina.

Ujumuishaji Tofauti: Vigae vya mchanganyiko vya LiTaO3 vyenye msingi wa Silicon (POI) vyenye udhibiti wa unene (300–600 nm) na upitishaji joto hadi 8.78 W/m·K kwa vichujio vya SAW vya masafa ya juu.

Utengenezaji wa Mwongozo wa Mawimbi: Mbinu za ubadilishanaji wa protoni (PE) na ubadilishanaji wa protoni ya nyuma (RPE), na kufikia miongozo ya mawimbi ya submicron (Δn >0.7) kwa vidhibiti vya elektroni-optic vya kasi ya juu (kipimo data >40 GHz).

3. Mifumo ya Usimamizi wa Ubora

Upimaji wa Mwisho-Mwisho: Spektroskopia ya Raman (uthibitishaji wa aina nyingi), XRD (fuwele), AFM (muundo wa uso), na upimaji wa usawa wa macho (Δn <5×10⁻⁵).

4. Usaidizi wa Mnyororo wa Ugavi wa Kimataifa

Uwezo wa Uzalishaji: Pato la kila mwezi > ingots 5,000 (inchi 8: 70%), zinazounga mkono utoaji wa dharura wa saa 48.

Mtandao wa Usafirishaji: Ufikiaji barani Ulaya, Amerika Kaskazini, na Asia-Pasifiki kupitia usafirishaji wa anga/baharini kwa kutumia vifungashio vinavyodhibitiwa na halijoto.

5. Maendeleo ya Kiufundi Pamoja

Maabara ya Pamoja ya Utafiti na Maendeleo: Shirikiana kwenye mifumo ya ujumuishaji wa fotoniki (k.m., uunganishaji wa safu ya SiO2 yenye hasara ndogo).

Muhtasari

Ingoti za LiTaO3 hutumika kama nyenzo za kimkakati zinazounda upya teknolojia za optoelectronics na quantum. Kupitia uvumbuzi katika ukuaji wa fuwele (km, PVT), kupunguza kasoro, na ujumuishaji tofauti (km, POI), tunatoa suluhisho za kutegemewa sana na za gharama nafuu kwa mawasiliano ya 5G/6G, kompyuta ya quantum, na IoT ya viwandani. Kujitolea kwa XKH katika kuendeleza upunguzaji na uongezaji wa kasoro za ingot uzalishaji wa inchi 8 huhakikisha wateja wanaongoza katika minyororo ya usambazaji wa kimataifa, na kuendesha enzi inayofuata ya mifumo ikolojia ya semiconductor yenye gap kubwa.