Wafer ya epitaxial ya leza ya GaAs inchi 4 na inchi 6 VCSEL wima ya uso wa kutoa mwangaza wa leza yenye makutano moja ya 940nm

Kifuniko cha epitaxial cha leza cha GaAs inchi 4 inchi 6 VCSEL wima ya uso wa kutoa mwangaza wa leza wa makutano moja ya 940nm Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Mafupi:

Muundo maalum wa mteja safu za leza za Gigabit Ethernet kwa usawa wa hali ya juu wafers za inchi 6 850/940nm urefu wa wimbi la macho oksidi mdogo au uliopandikizwa kwa protoni mawasiliano ya kiunga cha data cha VCSEL, panya wa leza sifa za umeme na macho unyeti mdogo kwa halijoto. Makutano Mawili ya VCSEL-940 ni leza inayotoa moshi wa uso wa wima (VCSEL) yenye urefu wa wimbi la moshi kwa kawaida karibu na nanomita 940. Leza kama hizo kwa kawaida huwa na kisima kimoja cha quantum na zina uwezo wa kutoa utoaji wa mwanga kwa ufanisi. Urefu wa wimbi wa nanomita 940 huifanya iwe katika wigo wa infrared, unaofaa kwa matumizi mbalimbali. Ikilinganishwa na aina zingine za leza, VCsel zina ufanisi mkubwa wa ubadilishaji wa elektroni-macho. Kifurushi cha VCSEL ni kidogo na ni rahisi kuunganisha. Matumizi mapana ya VCSEL-940 yameifanya iwe na jukumu muhimu katika teknolojia ya kisasa.

Tutumie barua pepe

Vipengele

Sifa kuu za karatasi ya epitaxial ya laser ya GaAs ni pamoja na

1. Muundo wa makutano moja: Leza hii kwa kawaida huundwa na kisima kimoja cha quantum, ambacho kinaweza kutoa utoaji wa mwanga mzuri.
2. Urefu wa mawimbi: Urefu wa mawimbi wa 940 nm huifanya iwe katika safu ya wigo wa infrared, inayofaa kwa matumizi mbalimbali.
3. Ufanisi wa hali ya juu: Ikilinganishwa na aina zingine za leza, VCSEL ina ufanisi mkubwa wa ubadilishaji wa umeme-macho.
4. Ufupi: Kifurushi cha VCSEL ni kidogo na ni rahisi kuunganisha.

5. Mkondo wa chini wa kizingiti na ufanisi wa juu: Leza za muundo-hetero zilizozikwa zinaonyesha msongamano wa chini sana wa mkondo wa kizingiti (km 4mA/cm²) na ufanisi wa juu wa tofauti ya nje ya quantum (km 36%), huku nguvu ya kutoa ya mstari ikizidi 15mW.
6. Uthabiti wa hali ya mwongozo wa mawimbi: Leza ya muundo-hetero iliyozikwa ina faida ya uthabiti wa hali ya mwongozo wa mawimbi kutokana na utaratibu wake wa mwongozo wa mawimbi unaoongozwa na faharasa ya kuakisi na upana mwembamba wa utepe unaofanya kazi (karibu 2μm).
7. Ufanisi bora wa ubadilishaji wa fotoelectric: Kwa kuboresha mchakato wa ukuaji wa epitaxial, ufanisi mkubwa wa ndani wa quantum na ufanisi wa ubadilishaji wa fotoelectric unaweza kupatikana ili kupunguza upotevu wa ndani.
8. Utegemezi wa hali ya juu na uhai: Teknolojia ya ukuaji wa epitaxial yenye ubora wa juu inaweza kuandaa karatasi za epitaxial zenye mwonekano mzuri wa uso na msongamano mdogo wa kasoro, na kuboresha uaminifu wa bidhaa na uhai.
9. Inafaa kwa matumizi mbalimbali: Karatasi ya epitaxial ya diode ya leza inayotegemea GAAS hutumika sana katika mawasiliano ya nyuzi za macho, matumizi ya viwandani, vigunduzi vya infrared na foto na nyanja zingine.

Njia kuu za matumizi ya karatasi ya epitaxial ya laser ya GaAs ni pamoja na

1. Mawasiliano ya macho na mawasiliano ya data: Vigae vya epitaxial vya GaAs hutumika sana katika uwanja wa mawasiliano ya macho, haswa katika mifumo ya mawasiliano ya macho ya kasi ya juu, kwa ajili ya kutengeneza vifaa vya optoelectronic kama vile leza na vigunduzi.

2. Matumizi ya Viwandani: Karatasi za epitaxial za leza za GaAs pia zina matumizi muhimu katika matumizi ya viwandani, kama vile usindikaji wa leza, kipimo na kuhisi.

3. Vifaa vya elektroniki vya watumiaji: Katika vifaa vya elektroniki vya watumiaji, wafer za GaAs epitaxial hutumiwa kutengeneza VCsels (leza za kutoa moshi wa uso wima), ambazo hutumika sana katika simu mahiri na vifaa vingine vya elektroniki vya watumiaji.

4. Matumizi ya Rf: Nyenzo za GaAs zina faida kubwa katika uwanja wa RF na hutumika kutengeneza vifaa vya RF vyenye utendaji wa hali ya juu.

5. Leza za nukta za quantum: Leza za nukta za quantum zinazotegemea GAAS hutumika sana katika nyanja za mawasiliano, matibabu na kijeshi, haswa katika bendi ya mawasiliano ya macho ya 1.31µm.

6. Swichi ya Q Isiyopitisha: Kifyonzaji cha GaAs hutumika kwa leza za hali ngumu zinazosukumwa na diode zenye swichi ya Q isiyopitisha, ambayo inafaa kwa ajili ya utengenezaji wa mashine ndogo, uundaji na upasuaji mdogo.

Matumizi haya yanaonyesha uwezo wa wafers za leza za GaAs epitaxial katika matumizi mbalimbali ya teknolojia ya hali ya juu.

XKH hutoa wafer za GaAs epitaxial zenye miundo na unene tofauti zilizoundwa kulingana na mahitaji ya wateja, zikijumuisha matumizi mbalimbali kama vile VCSEL/HCSEL, WLAN, vituo vya msingi vya 4G/5G, n.k. Bidhaa za XKH zinatengenezwa kwa kutumia vifaa vya MOCVD vya hali ya juu ili kuhakikisha utendaji na uaminifu wa hali ya juu. Kwa upande wa vifaa, tuna njia mbalimbali za kimataifa, tunaweza kushughulikia idadi ya oda kwa urahisi, na kutoa huduma za thamani kama vile kupunguza uzito, kugawanya, n.k. Michakato ya uwasilishaji yenye ufanisi inahakikisha uwasilishaji kwa wakati na kukidhi mahitaji ya wateja kwa ubora na nyakati za uwasilishaji. Baada ya kuwasili, wateja wanaweza kupata usaidizi kamili wa kiufundi na huduma ya baada ya mauzo ili kuhakikisha kwamba bidhaa inatumika vizuri.