kaki ndogo ya inchi 3 76.2mm 4H-Semi SiC ya Silicon Carbide yenye matusi ya nusu-kaki ya SiC

kaki ndogo ya inchi 3 76.2mm 4H-Semi SiC ya Silicon Carbide yenye matusi ya nusu Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Kaki ya kioo ya ubora wa juu ya SiC (Silicon Carbide) kwa tasnia ya elektroniki na optoelectronic. 3inch SiC kaki ni nyenzo ya kizazi kijacho ya semiconductor,kaki za kuhami za silicon-carbide za kipenyo cha inchi 3. Kaki hizo zimekusudiwa kutengeneza vifaa vya nguvu, RF na optoelectronics.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Maelezo

Kaki za substrate za inchi 3 za 4H za SiC (silicon carbudi) ni nyenzo ya semicondukta inayotumika sana. 4H inaonyesha muundo wa fuwele wa tetrahexahedral. Nusu insulation ina maana kwamba substrate ina sifa ya juu ya upinzani na inaweza kwa kiasi fulani kutengwa na mtiririko wa sasa.

Kaki kama hizo za substrate zina sifa zifuatazo: conductivity ya juu ya mafuta, hasara ya chini ya upitishaji, upinzani bora wa joto la juu, na utulivu bora wa mitambo na kemikali. Kwa sababu silicon carbudi ina pengo kubwa la nishati na inaweza kuhimili halijoto ya juu na hali ya juu ya uwanja wa umeme, kaki zenye maboksi ya 4H-SiC hutumiwa sana katika vifaa vya umeme na masafa ya redio (RF).

Utumizi kuu wa 4H-SiC kaki iliyowekewa maboksi ni pamoja na:

1--Umeme wa umeme: kaki za 4H-SiC zinaweza kutumika kutengeneza vifaa vya kubadili umeme kama vile MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) na diodi za Schottky. Vifaa hivi vina upotevu wa chini na hasara za kubadili katika mazingira ya juu ya voltage na joto la juu na hutoa ufanisi wa juu na kuegemea.

2--Radio Frequency (RF) Vifaa: 4H-SiC kaki iliyowekewa nusu-boksi inaweza kutumika kutengeneza nishati ya juu, vikuza nguvu vya masafa ya juu vya RF, vipinga chip, vichungi na vifaa vingine. Silicon CARBIDE ina utendakazi bora wa masafa ya juu na uthabiti wa joto kutokana na kiwango chake kikubwa cha kupeperushwa kwa elektroni na upitishaji wa juu wa mafuta.

3--Vifaa vya optoelectronic: kaki zenye maboksi ya 4H-SiC zinaweza kutumika kutengeneza diodi za leza zenye nguvu nyingi, vitambua mwanga vya UV na saketi zilizounganishwa za optoelectronic.

Kwa upande wa mwelekeo wa soko, mahitaji ya kaki zenye maboksi ya 4H-SiC yanaongezeka kutokana na nyanja zinazokua za umeme wa umeme, RF na optoelectronics. Hii ni kutokana na ukweli kwamba carbudi ya silicon ina matumizi mbalimbali, ikiwa ni pamoja na ufanisi wa nishati, magari ya umeme, nishati mbadala na mawasiliano. Katika siku zijazo, soko la kaki zenye maboksi ya 4H-SiC linabaki kuwa la kuahidi sana na linatarajiwa kuchukua nafasi ya vifaa vya kawaida vya silicon katika matumizi anuwai.